為什么在逆變焊機(jī)中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命！

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆變焊機(jī)！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT逆變焊機(jī)，實(shí)現(xiàn)更高的逆變焊機(jī)焊接質(zhì)量，更小的逆變焊機(jī)體積重量！更低的逆變焊機(jī)成本！

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于各類逆變焊機(jī)，比如氣體保護(hù)焊，如氬弧焊、二氧化碳?xì)怏w保護(hù)焊，手工弧焊等。

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

逆變焊機(jī)是指采用逆變技術(shù)的弧焊電源，它將交流電先整流成直流電，再通過大功率開關(guān)元件的交替開關(guān)作用（使用基本公司SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經(jīng)成為行業(yè)潮流），逆變成幾K赫茲甚至幾百K赫茲的高頻交流電，經(jīng)過變壓器降壓后輸出給電極和工件，形成高頻脈沖電弧的焊機(jī)。

逆變焊機(jī)相比直流焊機(jī)具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1.體積小、重量輕、節(jié)約制造材料，便于攜帶和移動。

2.能效高、節(jié)能環(huán)保、降低用電成本。

3.動態(tài)特性好、控制靈活、可實(shí)現(xiàn)多種焊接模式和參數(shù)調(diào)節(jié)。

4.輸出電壓、電流的穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)、適應(yīng)電網(wǎng)波動。

5.焊接效果好、飛濺小、熔深大、變形小、適用于各種金屬材料和位置的焊接。

基本公司SiC碳化硅MOSFET可有效的減少逆變焊機(jī)變壓器、濾波電感、電容以及散熱器，電抗等成本，有效降低逆變焊機(jī)體積和成本。基本公司SiC碳化硅MOSFET提高逆變焊機(jī)頻率從而提高弧焊電源的動態(tài)響應(yīng)特性，促進(jìn)焊接工藝的精細(xì)靈活，提升焊接質(zhì)量。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC?基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC?基本公司基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。

針對新能源汽車的應(yīng)用需求，BASiC?基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動中。

B3M040120Z是BASiC?基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC?基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。

BASiC?基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計(jì)，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。

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傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下，融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向，將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品，堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標(biāo)充電樁，車載DCDC模塊，國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應(yīng)用，傾佳電子（Changer Tech）為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗，從而為實(shí)現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻(xiàn)，邁向數(shù)字能源新時代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!